Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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| Matériau: | Cuivre de tungstène | Densité: | 14,9 |
|---|---|---|---|
| CTE: | 9,0 | TC: | 220 |
| Application: | Diode laser Submounts | ||
| Surligner: | copper heat sink,copper block heat sink |
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Matériel de WCu/radiateur de cuivre de tungstène nickelé pour la diode laser Submounts
Description :
C'est un composé de tungstène et de cuivre. Le coefficient de dilatation thermique (CTE) du composé peut disigned en commandant le contenu du tungstène, assortissant cela des matériaux, tels que la céramique (Al2O3, BeO), les semi-conducteurs (Si), les métaux (Kovar), etc. Les produits applicated largement dans les domaines tels que la radiofréquence, la micro-onde, l'emballage de diode de puissance élevée et le système de communication optique.
Avantages :
1. conduction thermique élevée
2. excellent hermeticity
3. excellente planéité, finition extérieure, et contrôle de taille
4. (Ni/Au plaqué) produits demi-complets ou de finition disponibles
5. bas vide
Propriétés de produit :
| Catégorie | Contenu de W | Densité g/cm3 |
Coefficient de courant ascendant Expansion ×10-6 (20℃) |
Conduction thermique avec (M·K) |
| 90WCu | 90±2% | 17,0 | 6,5 | 180 (25℃) /176 (100℃) |
| 85WCu | 85±2% | 16,4 | 7,2 | 190 (25℃)/183 (100℃) |
| 80WCu | 80±2% | 15,65 | 8,3 | 200 (25℃)/197 (100℃) |
| 75WCu | 75±2% | 14,9 | 9,0 | 230 (25℃)/220 (100℃) |
| 50WCu | 50±2% | 12,2 | 12,5 | 340 (25℃)/310 (100℃) |
Application :
1.Used en tant que résistance à hautes températures dans les produits et des Automatique-moteurs électroniques. Comme l'ordinateur produit des immenses quantités de la chaleur, qui a comme conséquence le lent de la vitesse. Le radiateur d'alliage de tungstène peut résoudre ce problème.
2.Used dans les applications telles que des paquets d'optoélectronique, des paquets de micro-onde, des paquets, le laser Submounts, etc.
3.Used comme le radiateur coquille rapièce et d'encapsulation.
4.Used dans les plats de support, les supports intermédiaires, les brides, et les cadres thermiques pour le rf, paquets d'onde millimétrique de micro-onde aiment le FET de LDMOS ; MSFET ; HBT ; Bipolaire ; HEMT ; MMIC, diodes électroluminescentes et détecteurs, paquets de diode laser aiment l'impulsion, l'onde entretenue, l'émetteur simple, les barres et les transporteurs complexes pour des amplificateurs d'optoélectronique, récepteurs, émetteurs, lasers accordables.
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