Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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| Grade :: | Mo80Cu20, Mo75C25, Mo70Cu30, Mo60Cu40, Mo50Cu50 | Surface :: | Basse aspérité |
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| Dimensions:: | Basé sur les besoins des clients | Électrodéposition :: | Nickelage et or plaing |
| Forme :: | Pièces embouties, pièces usinées ou page blanche | ||
| Surligner: | élément de molybdène,mocu |
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Contrôle strict 80Mo20Cu de dimension avec du nickel et l'or plaqués pour le système de radar dans la télécommunication
Description :
Avec le développement des technologies, il y a plus de besoin de puissance plus élevée dans de plus petits composants de la microélectronique. Ceci augmentent également les conditions pour la dissipation thermique.
Pour les composants sensibles, au composé en métal d'utilisation comme le matériel d'en cuivre de molybdène est un choix sage.
Étude de cas :
Si vous êtes concepteur, nous pouvons te donner la recommandation de quel matériel conviendra à vous.
Si vous êtes commerçant, nous pouvons savoir que ce qu'êtes vous avez manqué et fournir plus d'information que vous avez besoin.
Si vous faites l'usinage et l'électrodéposition, nous te donnerons le bon matériel et vous pouvez directement l'employer et n'avoir aucune inquiétude des étapes suivantes.
Nous offrons des transporteurs, des étiquettes ou des entretoises pour des modules. Basé sur la conception différente de structure, le processus de fabrication différera également entre eux.
Propriétés de produit :
| Catégorie | Contenu de MOIS | Densité g/cm3 |
Coefficient de courant ascendant Expansion ×10-6 (20℃) |
Conduction thermique avec (M·K) |
| 70MoCu | 70±2% | 9,8 | 7 | 200 (25℃)/196 (100℃) |
| 60MoCu | 60±2% | 9,66 | 7,5 | 222 (25℃)/217 (100℃) |
| 50MoCu | 50±2% | 9,5 | 10,2 | 250 (25℃)/220 (100℃) |
Application :
Le cuivre de molybdène ont été employés dans divers champs comme l'optoélectronique, les applications à haute fréquence, l'électronique de puissance et la microélectronique.
Dans ces secteurs, elles sont souvent utilisées dedans au-dessous des composants comme :
Transistors de GaN/GaAs
Paquets en céramique utilisés dans la micro-onde et les domaines de rf
Composants dans la station de base par radio de la télécommunication
LED de haute puissance
Modules d'IGBT pour EV/HEV et transformateurs stationnaires
